研調機構指出，全球DRAM產值去年第4季再度攀高至約97.5億美金，約新台幣2925億元，季成長近5%，創近5季新高。
南科(2408)積極轉進30nm製程，其投片量已來到總產能近8成，華邦電(2344)今年提升投片量至3.8萬片外，也提升46nm製程轉進比重，以降低生產成本，有助於第1季的獲利表現。
預估2014年的DRAM總產值可望進一步提升，並在後20nm時代來臨之前為各家帶來穩定的獲利。
市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示，去年第4季DRAM產出雖受到SK海力士無錫大火影響而稍有略減，但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價勁揚，因此全球DRAM產值再度攀高至約97.5億美元，約新台幣2925億元，季成長近5%。
同時，前兩大DRAM供應商的獲利能力較上季皆有提升，其中獲利差異點取決於各DRAM廠標準型記憶體的供給多寡。
TrendForce研究協理吳雅婷表示，就合約價格走勢做觀察，由於9月SK海力士受祝融波及而影響當下出貨，DRAM 4GB模組合約均價最高來到34美元，約新台幣1020元的價位，較火災發生前上漲約2成，供貨不足下主要PC OEM廠紛紛轉向三星及美光要求緊急供貨，是這波價格上漲受惠最多的廠商。
其中三星受惠於25奈米製程開始放量，供貨最充足，所以盤據成交價的高價部位，美光次之，SK海力士為避免客戶流失，將合約價格放低，為這波漲價潮當中受惠最小的供應商。
2013年DRAM總產值總計達到34.4億美元，約新台幣1032億元，年成長約3成。
從全球DRAM廠自有品牌記憶體市占比例來觀察，三星半導體與SK海力士半導體各為39%與24%，兩者差距再進一步拉大。
三星維持原先策略，標準型記憶體比重進一步提升，並意圖持續擴大行動式記憶體對外採購比重；由於三星的25奈米已經順利量產出貨，相較於SK海力士的29奈米以及美光的30奈米，顯然成本結構領先同業水準，在2014年平均銷售單價可能緩跌的前提下，三星的營業利益仍舊可以維持20%水位，無疑為產業獲利最高的廠商。
SK海力士受無錫廠大火影響，其市占由去年第3季的28.5%微幅下降至23.8%，營業利益也約略減少約5%。
然而海力士傾全力恢復產出，預計產能流失的衝擊可望在今年首季全面回復。
在本次第4季營收市占報告中，TrendForce第2次將美光與日商爾必達合併計算，綜合市占為28.7%，正式超越SK海力士成為排名第二。
除此之外，同時受惠於價格上揚與成本下降兩項因素，營業利益的成長超過10%，為產業之冠。
美光集團2014年目標為逐漸導入爾必達技術為主的20奈米，預計正式量產時程約落在年末，若站在標準型記憶體的角度觀察，新美光集團的產出比例將占總產業的三分之一強，對市場的影響力將大幅增加。
台系廠部分，南科也積極轉進30nm製程，其投片量已來到總產能近8成，即使第4季停止從華亞科取得晶圓，在營收上仍有9.5%的季成長。
力晶在DRAM營收上僅有6%的成長，除了力晶已轉型為代工業務為主外，去年下半年啟動的P3廠DRAM業務，也是屬於代工性質，不受DRAM價格波動影響，亦無法帶動DRAM營收繼續往上攀升。
華邦電是受到火災轉單效應與傳統旺季需求，營收成長約9.7%，其中利基型記憶體的成長約為11%，行動式記憶體也有5%的成長，今年華邦除了提升投片量至3.8萬片外，提升46nm製程轉進比重亦是今年的重點，生產成本降低將有助第1季的獲利表現。
從市場面來觀察，TrendForce認為無錫廠的復工狀況為牽動未來價格走勢的最主要關鍵；由於每年首季都是需求淡季，加上產出增加(三星的25奈米、美光的30奈米以及SK海力士無錫廠復工)，TrendForce仍維持原先的預估，價格將呈現緩跌態勢，而跌幅將隨著旺季來臨而趨緩。
後續獲利能力的持盈保泰將有賴於製程轉進，而產業供給面將有賴各DRAM廠商共同維持，不貿然進行擴廠計畫；在以上前提成立之下，2014年的DRAM總產值可望進一步提升，並在後20nm時代來臨之前為各家帶來穩定的獲利。
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